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Autor: mk
15.12.2010 18:17:16
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Feldeffekttransistoren

N-Kanal-FET Enhancement Mode

Veranschaulichung

Man sieht, dass der Transistor selbstsperrend ist, da bei gleichem Wasserdruck an Source und Gate der Kolben durch die Feder nach links gedrückt wird und damit der Schieberkolben die Drain-Source-Strecke sperrt. Wird der Druck am Gate größer als an Source (Gate-Source-Spannung ist positiv), so wird der Kolben nach rechts gedrückt, der Transistor öffnet.

nFET geschlossen nfet_geschlossen.svg nFET offen nfet_offen.svg

Man findet den Transistor unter hades/models/switched/NTRAN. Am besten man verwendet den Colibri-Komponenten-Browser (Edit/Open Component Browser). Den hochohmigen Zustand (gelb) bei einer Eingabe erhält man, wenn man beim Mausklick die Shift-Taste gedrückt hält.

nFET Test nfet1.hds

P-Kanal-FET Enhancement Mode

Veranschaulichung

Man sieht, dass der Transistor selbstsperrend ist, da bei gleichem Wasserdruck an Source und Gate der Kolben durch die Feder nach rechts gedrückt wird und damit der Schieberkolben die Drain-Source-Strecke sperrt. Wird der Druck am Gate niedriger als an Source (Gate-Source-Spannung ist negativ), so wird der Kolben nach links gedrückt, der Transistor öffnet.

pFET geschlossen pfet_geschlossen.svg pFET offen pfet_offen.svg

Man findet den Transistor unter hades/models/switched/PTRAN. Im Beispiel sperrt der Transistor.

pFET Test pfet1.hds

Grenzen der Simulation

Die Transistoren sind in Hades als Schalter simuliert. Der 'Schalter' schaltet aber nur, wenn die Spannung zwischen Gate und Source positiv ist beim n-Kanal-Typ bzw. negativ ist beim p-Kanal-Typ. Als Faustregel kann gelten, dass n-Kanal-Typen im Zweig nach Masse und p-Kanal-Typen im Zweig nach Vcc verwendet werden.

RS-FlipFlop

ff.avi

RS-FlipFlop mit FETs rsffcmos.hds

Versuche mit FETs

Grundlegende Schaltungen mit FETs sollen anhand der Typen BS108 und BS250 auf dem Steckboard untersucht werden. Hält man die Transistoren so, dass die Beine unten sind und man auf die Beschriftung sieht, so sind ist jeweils links Drain, in der Mitte Gate und rechts Source. Es sind folgende Schaltungen aufzubauen und zu testen:

FET als Schalter FETSchalter.hds

Experiment 1 Experiment 2

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